背散射电子（BSE）和二次电子（SE）是扫描电子显微镜（SEM）中常用的探测方法。虽然这两种方法都可以提供有关材料表面形貌和成分的信息，但它们之间仍然存在一些区别。

BSE是由电子束与样品表面相互作用产生的高能电子，这些电子在材料中穿行并与原子发生相互作用，从而改变其方向和能量。这些电子会在材料中散射多次，然后返回到探测器并通过其检测。BSE探测器通常安装在扫描电子显微镜的侧面，所以BSE图像显示的是样品表面的侧面形貌信息。由于BSE的能量较高，它可以提供有关材料表面和内部结构的信息，因此常用于材料分析和成像。

相比之下，SE是由电子束与样品表面相互作用产生的低能电子，这些电子在样品表面散射并离开样品表面。SE探测器通常安装在扫描电子显微镜的顶部，所以SE图像显示的是样品表面的直接形貌信息。由于SE的能量较低，它只能提供有关样品表面形貌的信息，无法提供有关内部结构的信息。

因此，BSE和SE在SEM中具有不同的应用场景。如果需要了解材料的内部结构和组成，BSE是更好的选择；如果只需要了解样品表面的形貌信息，SE是更好的选择。同时，BSE和SE也可以结合使用，以提供更全面和准确的材料分析和成像结果。